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IMZA65R030M1HXKSA1
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 53 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-247
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMZA65R030M1HXKSA1
No. Parte Newark25AK0775
Rango de ProductoCoolSiC Series
Hoja de datos técnicos
119 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $15.750 |
| 10+ | $15.720 |
| 25+ | $11.570 |
| 50+ | $11.040 |
| 100+ | $10.580 |
| 480+ | $10.510 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$15.75
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMZA65R030M1HXKSA1
No. Parte Newark25AK0775
Rango de ProductoCoolSiC Series
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Intensidad Drenador Continua Id53A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650V
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.03ohm
Diseño de TransistorTO-247
Núm. de Contactos4Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.5V
Disipación de Potencia197W
Disipación de Potencia Pd0
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoCoolSiC Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.03ohm
Núm. de Contactos
4Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.5V
Disipación de Potencia Pd
0
Rango de Producto
CoolSiC Series
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
53A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
197W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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