Imprimir página
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPA086N10N3GXKSA1
No. Parte Newark50Y1996
Hoja de datos técnicos
21 En Stock
¿Necesita más?
Envío el mismo día
Haga el pedido antes de las 9 p.m., hora estándar del este, para un envío normal
Disponible en la cantidad indicada
Cantidad | Precio en USD |
---|---|
1+ | $0.583 |
10+ | $0.583 |
100+ | $0.583 |
500+ | $0.583 |
1000+ | $0.583 |
2500+ | $0.583 |
5000+ | $0.583 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$0.58
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPA086N10N3GXKSA1
No. Parte Newark50Y1996
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id45
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente8.6
Resistencia de Activación Rds(on)0.0075ohm
Diseño de TransistorTO-220FP
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.7
Disipación de Potencia Pd37.5W
Disipación de Potencia37.5
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Alternativas para el número de pieza IPA086N10N3GXKSA1
1 producto (s) encontrado (s)
Resumen del producto
- Transistor de potencia Optima's™ 3 de 100V
- Canal-N, nível nominal
- Excelente carga de puerta x producto RDS (on) (FOM)
- RDS de muy baja resistencia (activado)
- Calificado según JEDEC para aplicaciones de destino
- Ideal para conmutación de alta frecuencia y rectificación síncrona
- Paquete completamente aislado (2500 VCA, 1 minuto)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
8.6
Diseño de Transistor
TO-220FP
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
37.5W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
45
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0075ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.7
Disipación de Potencia
37.5
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto