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IPA65R600E6XKSA1
MOSFET Transistor, N Channel, 7.3 A, 700 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 V RoHS Compliant: Yes
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Plazo de entrega estándar del fabricante: 22 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.330 |
| 10+ | $2.100 |
| 100+ | $1.680 |
| 500+ | $1.380 |
| 1000+ | $1.140 |
| 2500+ | $1.070 |
| 5000+ | $1.030 |
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Mínimo: 1
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$2.33
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPA65R600E6XKSA1
No. Parte Newark85X6011
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds700V
Intensidad Drenador Continua Id7.3A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.54ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-220
Montaje de TransistorThrough Hole
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia63W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
700V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.54ohm
Diseño de Transistor
TO-220
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
7.3A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
63W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
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2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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