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IPB025N10N3GATMA1
MOSFET, N CHANNEL, 100V, 180A, TO263-7
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPB025N10N3GATMA1
No. Parte Newark47W3462
También conocido comoIPB025N10N3 G, SP000469888
Hoja de datos técnicos
301 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $6.300 |
| 10+ | $4.490 |
| 25+ | $4.160 |
| 50+ | $3.820 |
| 100+ | $3.480 |
| 250+ | $3.420 |
| 500+ | $3.340 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPB025N10N3GATMA1
No. Parte Newark47W3462
También conocido comoIPB025N10N3 G, SP000469888
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id180
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente2500µohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.002ohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd300W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.7
Disipación de Potencia300
No. de Pines7Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El IPB025N10N3 G es un MOSFET de potencia de canal N de 100 V que ofrece soluciones superiores para SMPS de alta eficiencia y alta densidad de potencia. En comparación con otros transistores, este MOSFET logra una reducción del 30% tanto en RDS (encendido) como en FOM (Figura de mérito). El OptiMOS™ MOSFET ofrece el RDS (encendido) más bajo de la industria dentro de las clases de voltaje. Es ideal para aplicaciones de conmutación de alta frecuencia y tecnología optimizada para convertidores CD-CD.
- Excelente rendimiento de conmutación
- Amigable con el medio ambiente
- Eficiencia incrementada
- La más alta densidad de potencia
- Se requiere menos paralelismo
- Menor consumo de espacio de tablero
- Fácil de diseñar
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
2500µohm
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.7
No. de Pines
7Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
180
Resistencia de Activación Rds(on)
0.002ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
300W
Disipación de Potencia
300
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza IPB025N10N3GATMA1
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto