Imprimir página
IPB039N10N3GATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 160 A, 0.0039 ohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPB039N10N3GATMA1
No. Parte Newark47W3465
También conocido comoIPB039N10N3 G, SP000482428
Hoja de datos técnicos
3,777 En Stock
¿Necesita más?
Entrega en 2-4 días hábiles(UK stock)
Haga el pedido antes de las 9 p.m. EST para un envío normal
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.940 |
| 10+ | $2.310 |
| 25+ | $2.160 |
| 50+ | $2.010 |
| 100+ | $1.850 |
| 250+ | $1.800 |
| 500+ | $1.730 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$2.94
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPB039N10N3GATMA1
No. Parte Newark47W3465
También conocido comoIPB039N10N3 G, SP000482428
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id160
Resistencia de Activación Rds(on)0.0033ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0039ohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd214W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.7
Disipación de Potencia214
No. de Pines7Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El IPB039N10N3 G es un MOSFET de potencia de canal N OptiMOS™ que ofrece soluciones superiores para SMPS de alta eficiencia y alta densidad de potencia. En comparación con la siguiente mejor tecnología, esta familia logra una reducción del 30% tanto en RDS (ON) como en FOM.
- Excelente rendimiento de conmutación
- RDS más bajo del mundo (ON)
- Muy bajo Qg y Qgd
- Excelente carga de puerta x producto RDS (ON) (FOM)
- Amigable con el medio ambiente
- La más alta densidad de potencia
- Se requiere menos paralelismo
- Menor consumo de espacio de tablero
- Productos fáciles de diseñar
- Producto verde, libre de halógenos
- MSL1 clasificado 2
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0033ohm
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Disipación de Potencia Pd
214W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.7
No. de Pines
7Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
160
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0039ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
214
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Productos relacionados
3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto