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IPB055N08NF2SATMA1
MOSFET, N-CH, 80V, 94A, TO-263 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPB055N08NF2SATMA1
No. Parte Newark63AK1706
Rango de ProductoStronglRFET Series
Hoja de datos técnicos
700 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.860 |
| 10+ | $2.070 |
| 25+ | $1.890 |
| 50+ | $1.710 |
| 100+ | $1.540 |
| 250+ | $1.390 |
| 500+ | $1.240 |
| 1600+ | $1.200 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$2.86
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPB055N08NF2SATMA1
No. Parte Newark63AK1706
Rango de ProductoStronglRFET Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds80V
Intensidad Drenador Continua Id94A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0048ohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.8V
Disipación de Potencia107W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoStronglRFET Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
94A
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
107W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
80V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0048ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.8V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
StronglRFET Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto