IPB107N20N3GATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 200 V, 88 A, 0.0107 ohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $4.830 |
| 10+ | $4.030 |
Información del producto
Resumen del producto
El IPB107N20N3 G es un MOSFET de potencia de canal N de 200 V ideal para la conmutación de alta frecuencia, logrando un rendimiento excelente en aplicaciones como la rectificación síncrona para SMPS de CA-CD y el control del motor. El MOSFET OptiMOS™ está optimizado para la robustez de la conmutación dura, logrando Qrr bajo y cargas de recuperación inversa pico más bajas. Se trata de tecnologías de referencia líderes en rendimiento, perfectamente adecuadas para la rectificación síncrona en sistemas de 48 V, convertidores CD-CD, fuentes de alimentación ininterrumpida (UPS) e inversores para motores de CD.
- La más alta eficiencia
- La más alta densidad de potencia
- Menor consumo de espacio en la tarjeta
- Se requieren mínimos dispositivos para paralelaje
- Mejora de costos del sistema
- Amigable con el medio ambiente
- Fácil de diseñar en
Especificaciones técnicas
Canal N
200
0.0096ohm
TO-263 (D2PAK)
10
3
3Pines
-
MSL 1 - Unlimited
N Channel
88
0.0107ohm
Surface Mount
300W
300
175
-
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (4)
Alternativas para el número de pieza IPB107N20N3GATMA1
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Legislación y medioambiente
RoHS
RoHS
Certificado de conformidad del producto