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IPB320N20N3GATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 200 V, 34 A, 0.032 ohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPB320N20N3GATMA1
No. Parte Newark47W3467
También conocido comoIPB320N20N3 G, SP000691172
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $4.010 |
| 10+ | $2.620 |
| 25+ | $2.370 |
| 50+ | $2.100 |
| 100+ | $1.840 |
| 250+ | $1.730 |
| 500+ | $1.630 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPB320N20N3GATMA1
No. Parte Newark47W3467
También conocido comoIPB320N20N3 G, SP000691172
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds200
Intensidad Drenador Continua Id34
Resistencia de Activación Rds(on)0.028ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.032ohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd136W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia136
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El IPB320N20N3 G es un MOSFET de potencia de canal N con tecnología de referencia OptiMOS™ líder en rendimiento. Es perfectamente adecuado para la rectificación síncrona en sistemas de 48 V, convertidores CD a CD, fuentes de alimentación ininterrumpida (UPS) e inversores.
- El RDS más bajo de la industria (ON)
- Qg y Qgd más bajos
- FOM más bajo del mundo, calificación MSL 1
- La más alta eficiencia
- La más alta densidad de potencia
- Se requieren mínimos dispositivos para paralelaje
- Amigable con el medio ambiente
- Productos fáciles de diseñar
- Ideal para conmutación de alta frecuencia y rectificación síncrona
- Calificado de acuerdo con JEDEC para la aplicación de destino
- Producto verde, libre de halógenos
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
200
Resistencia de Activación Rds(on)
0.028ohm
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Disipación de Potencia Pd
136W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
34
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.032ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
136
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza IPB320N20N3GATMA1
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
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