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IPD031N03LGATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 90 A, 0.0031 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPD031N03LGATMA1
No. Parte Newark60R2684
También conocido comoIPD031N03L G, SP000680554
Hoja de datos técnicos
396 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.577 |
| 10+ | $0.533 |
| 100+ | $0.479 |
| 500+ | $0.449 |
| 1000+ | $0.444 |
| 2500+ | $0.439 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPD031N03LGATMA1
No. Parte Newark60R2684
También conocido comoIPD031N03L G, SP000680554
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id90
Resistencia de Activación Rds(on)0.0026ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0031ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd94W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1
Disipación de Potencia94
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El IPD031N03L G es un MOSFET de potencia de canal N de 30 V para fuentes de alimentación conmutadas (SMPS). El MOSFET OptiMOS™ de 30 V establece nuevos estándares en densidad de potencia y eficiencia energética. Esto se adapta a las necesidades de administración de energía en portátiles mediante un comportamiento mejorado de EMI y una mayor duración de la batería.
- MOSFET de conmutación rápida
- Mayor vida útil de la batería
- Comportamiento EMI mejorado que hace obsoletas las redes de amortiguadores externos
- Ahorro de espacio
- Reducir las pérdidas de energía
- Resistencia térmica superior
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
90
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0031ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
94W
Disipación de Potencia
94
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0026ohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto