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IPD053N08N3GATMA1
MOSFET, N CHANNEL, 80V, 90A, TO-252
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPD053N08N3GATMA1
No. Parte Newark60R2692
Rango de ProductoOptiMOS 3 Series
También conocido comoIPD053N08N3 G, SP001127818
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.480 |
| 10+ | $1.270 |
| 100+ | $1.220 |
| 500+ | $1.170 |
| 1000+ | $1.150 |
| 2500+ | $1.060 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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$1.48
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPD053N08N3GATMA1
No. Parte Newark60R2692
Rango de ProductoOptiMOS 3 Series
También conocido comoIPD053N08N3 G, SP001127818
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds80V
Intensidad Drenador Continua Id90A
Resistencia de Activación Rds(on)0.0044ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente5300µohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd150W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.5V
Disipación de Potencia150W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoOptiMOS 3 Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El IPD053N08N3 G es un transistor de potencia OptiMOS™ 3 de canal N con resistencia térmica superior, excelente carga de compuerta x producto R DS (ON) (FOM) y resistencia térmica superior. Tecnología optimizada para convertidores CD/CD. Ideal para conmutación de alta frecuencia y rectificación síncrona.
- Refrigeración de doble cara
- Muy baja resistencia-encendido
- 100% prueba de avalancha
- Inductancia parásita baja
- Libre de halógenos
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
80V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0044ohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.5V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
OptiMOS 3 Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
90A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
5300µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
150W
Disipación de Potencia
150W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza IPD053N08N3GATMA1
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto