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IPD068P03L3GATMA1
MOSFET de Potencia, Canal P, 30 V, 70 A, 0.0068 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPD068P03L3GATMA1
No. Parte Newark50Y2023
También conocido comoIPD068P03L3 G, SP001127838
Hoja de datos técnicos
Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 15 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.080 |
| 10+ | $0.827 |
| 25+ | $0.772 |
| 50+ | $0.715 |
| 100+ | $0.659 |
| 250+ | $0.602 |
| 500+ | $0.545 |
| 1000+ | $0.497 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 5
Múltiple: 5
$5.40
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPD068P03L3GATMA1
No. Parte Newark50Y2023
También conocido comoIPD068P03L3 G, SP001127838
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id70
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0068ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.005ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd100W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.5
Disipación de Potencia100
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación AutomotrizAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
The IPD068P03L3 G is an OptiMOS™ P-channel Power MOSFET consistently meets the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as ON-state resistance and figure of merit characteristics.
- Enhancement-mode
- 100% Avalanche rated
- Small signal packages approved to AEC-Q101
- Qualified to JEDEC for target applications
- Halogen-free, Green device
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0068ohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Disipación de Potencia Pd
100W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.5
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
70
Resistencia de Activación Rds(on)
0.005ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
100
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza IPD068P03L3GATMA1
3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto