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IPD60R2K0PFD7SAUMA1
MOSFET, N-CH, 600V, 3A, TO-252/DPAK ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPD60R2K0PFD7SAUMA1
No. Parte Newark91AH7688
Rango de ProductoCoolMOS PFD7 SJ
Hoja de datos técnicos
656 En Stock
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPD60R2K0PFD7SAUMA1
No. Parte Newark91AH7688
Rango de ProductoCoolMOS PFD7 SJ
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600V
Intensidad Drenador Continua Id3A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente2ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia20W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoCoolMOS PFD7 SJ
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
20W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
CoolMOS PFD7 SJ
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
3A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
2ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza IPD60R2K0PFD7SAUMA1
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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