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IPD60R380C6ATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 650 V, 10.6 A, 0.38 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPD60R380C6ATMA1
No. Parte Newark30T1835
También conocido comoIPD60R380C6, SP001117716
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.570 |
| 10+ | $1.210 |
| 100+ | $0.962 |
| 500+ | $0.821 |
| 1000+ | $0.793 |
| 2500+ | $0.673 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPD60R380C6ATMA1
No. Parte Newark30T1835
También conocido comoIPD60R380C6, SP001117716
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Intensidad Drenador Continua Id10.6
Resistencia de Activación Rds(on)0.34ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.38ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd83W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia83
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
The IPD60R380C6 is a 600V N-channel CoolMOS™ Power MOSFET designed according to the Superjunction (SJ) principle with high class innovation. The C6 MOSFET provides all benefits of a fast switching SJ MOSFET while not sacrificing ease of use. Extremely low switching and conduction losses make switching applications even more efficient, compact, lighter and cooler. CoolMOS™ Superjunction power MOSFET offers a significant reduction of conduction, switching and driving losses and enable high power density and efficiency for superior power conversion systems.
- Easy to control of switching behaviour
- Very high commutation ruggedness
- Better light load efficiency compared to C3
- Outstanding reliability with proven CoolMOS™ quality combined with high body diode ruggedness
- Improved power density
- Improved reliability
- Improved efficiency in hard switching applications
- Reduces possible ringing due to PCB layout
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
10.6
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.38ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
83
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Resistencia de Activación Rds(on)
0.34ohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Disipación de Potencia Pd
83W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
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2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificado de conformidad del producto
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