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IPD80R360P7ATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 800 V, 13 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPD80R360P7ATMA1
No. Parte Newark24AC9045
Rango de ProductoCoolMOS P7
Hoja de datos técnicos
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559 En Stock
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|---|---|
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| 25+ | $2.210 |
| 50+ | $2.100 |
| 100+ | $2.000 |
| 250+ | $1.920 |
| 500+ | $1.820 |
| 1000+ | $1.580 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPD80R360P7ATMA1
No. Parte Newark24AC9045
Rango de ProductoCoolMOS P7
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds800V
Intensidad Drenador Continua Id13A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.36ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.31ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.5V
Disipación de Potencia Pd84W
Disipación de Potencia84W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoCoolMOS P7
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
Transistor de potencia CoolMOS™ P7 de 800V. Recomendado para topologías flyback de conmutación dura y suave para iluminación LED, cargadores y adaptadores de bajo consumo, audio, alimentación AUX y alimentación industrial. También apto para etapa PFC en aplicaciones de consumo y solar.
- FOM RDS, el mejor en su clase (activado) * Eoss; reducción de Qg, Ciss y Coss
- El mejor DPAK RDS de su clase (activado)
- La mejor V (GS) de su clase de 3V y la variación más pequeña de V (GS) de ±0.5V
- Protección ESD de diodo Zener integrada
- Totalmente calificado según JEDEC para aplicaciones industriales
- Portafolio totalmente optimizado
- El mejor rendimiento de su clase, fácil de conducir y en paralelo
- Permitiendo diseños de mayor densidad de energía, ahorro de lista de materiales y menores costos de ensamblaje
- Mejor rendimiento de producción al reducir las fallas relacionadas con ESD
- Menos problemas de producción y retornos de campo reducidos
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
800V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.36ohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
84W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
CoolMOS P7
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
13A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.31ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.5V
Disipación de Potencia
84W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto