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IPF012N06NF2SATMA1
MOSFET, N-CH, 60V, 282A, TO-263 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPF012N06NF2SATMA1
No. Parte Newark68AK5324
Rango de ProductoStrongIRFET 2 Series
Hoja de datos técnicos
221 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $4.840 |
| 10+ | $3.330 |
| 25+ | $3.040 |
| 50+ | $2.760 |
| 100+ | $2.480 |
| 250+ | $2.430 |
| 500+ | $2.380 |
| 1600+ | $2.250 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$4.84
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPF012N06NF2SATMA1
No. Parte Newark68AK5324
Rango de ProductoStrongIRFET 2 Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id282A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1100µohm
Diseño de TransistorTO-263
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.3V
Disipación de Potencia250W
No. de Pines7Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoStrongIRFET 2 Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
282A
Diseño de Transistor
TO-263
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
250W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1100µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.3V
No. de Pines
7Pines
Rango de Producto
StrongIRFET 2 Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto