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IPF016N10NF2SATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 274 A, 0.0016 ohm, TO-263, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPF016N10NF2SATMA1
No. Parte Newark63AK1712
Rango de ProductoStronglRFET Series
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPF016N10NF2SATMA1
No. Parte Newark63AK1712
Rango de ProductoStronglRFET Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id274
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0016
Diseño de TransistorTO-263
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.8
Disipación de Potencia300
No. de Pines7Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoStronglRFET Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
274
Diseño de Transistor
TO-263
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
300
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0016
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.8
No. de Pines
7Pines
Rango de Producto
StronglRFET Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza IPF016N10NF2SATMA1
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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