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IPL65R130C7AUMA1
MOSFET, N-CH, 650V, 15A, VSON-4
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPL65R130C7AUMA1
No. Parte Newark13AC9065
Rango de ProductoCoolMOS C7
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPL65R130C7AUMA1
No. Parte Newark13AC9065
Rango de ProductoCoolMOS C7
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650V
Intensidad Drenador Continua Id15A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.115ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorVSON
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.5V
Disipación de Potencia102W
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoCoolMOS C7
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.115ohm
Diseño de Transistor
VSON
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.5V
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
CoolMOS C7
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
15A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
102W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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