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IPN50R2K0CEATMA1
MOSFET, N-CH, 500V, 3.6A, SOT-223-3
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPN50R2K0CEATMA1
No. Parte Newark97Y1827
Rango de ProductoCoolMOS CE
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
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| 1+ | $0.488 |
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| 50+ | $0.286 |
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| 500+ | $0.251 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPN50R2K0CEATMA1
No. Parte Newark97Y1827
Rango de ProductoCoolMOS CE
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds500V
Intensidad Drenador Continua Id3.6A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1.8ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorSOT-223
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)13V
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia5W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoCoolMOS CE
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
500V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1.8ohm
Diseño de Transistor
SOT-223
Voltaje de Prueba Rds(on)
13V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
CoolMOS CE
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
3.6A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
5W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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