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IPP041N12N3GXKSA1
MOSFET, N CHANNEL, 120V, 120A, TO220-3
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPP041N12N3GXKSA1
No. Parte Newark47W3477
También conocido comoIPP041N12N3 G, SP000652746
Hoja de datos técnicos
1,700 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $4.200 |
| 10+ | $3.010 |
| 25+ | $2.930 |
| 50+ | $2.840 |
| 100+ | $2.740 |
| 250+ | $2.660 |
| 500+ | $2.570 |
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Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPP041N12N3GXKSA1
No. Parte Newark47W3477
También conocido comoIPP041N12N3 G, SP000652746
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds120
Intensidad Drenador Continua Id120
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente4100µohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.0035ohm
Diseño de TransistorTO-220
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd300W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia300
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El IPP041N12N3 G es un MOSFET de potencia de canal N OptiMOS™ que ofrece al mismo tiempo las resistencias de estado ON más bajas de la industria y el comportamiento de conmutación más rápido, lo que permite lograr un rendimiento excepcional en una amplia gama de aplicaciones. La tecnología OptiMOS™ de 120V ofrece nuevas posibilidades para soluciones optimizadas.
- Excelente carga de puerta x producto RDS (ON) (FOM)
- R DS de muy baja resistencia a la conexión (encendido)
- Excelente carga de puerta x producto RDS (ON) (FOM)
- MSL1 clasificado 2
- Amigable con el medio ambiente
- Eficiencia incrementada
- La más alta densidad de potencia
- Se requiere menos paralelismo
- Menor consumo de espacio de tablero
- Productos fáciles de diseñar
- Canal N, nível normal
- Calificado según JEDEC para aplicaciones de destino
- Producto verde, libre de halógenos
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
120
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
4100µohm
Diseño de Transistor
TO-220
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
120
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0035ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
300W
Disipación de Potencia
300
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza IPP041N12N3GXKSA1
1 producto (s) encontrado (s)
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6 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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