IPP110N20N3GXKSA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 200 V, 88 A, 11 mohm, TO-220, Agujero Pasante
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $3.530 |
| 10+ | $3.170 |
| 25+ | $3.150 |
| 50+ | $3.130 |
| 100+ | $3.110 |
| 250+ | $2.960 |
| 500+ | $2.810 |
Información del producto
Resumen del producto
El IPP110N20N3 G es un MOSFET de potencia de canal N de 200 V ideal para la conmutación de alta frecuencia, logrando un rendimiento excelente en aplicaciones como la rectificación síncrona para SMPS de CA-CD y el control del motor. El MOSFET OptiMOS™ está optimizado para la robustez de la conmutación dura, logrando Qrr bajo y cargas de recuperación inversa pico más bajas. Se trata de tecnologías de referencia líderes en rendimiento, perfectamente adecuadas para la rectificación síncrona en sistemas de 48 V, convertidores CD-CD, fuentes de alimentación ininterrumpida (UPS) e inversores para motores de CD.
- La más alta eficiencia
- La más alta densidad de potencia
- Menor consumo de espacio en la tarjeta
- Se requieren mínimos dispositivos para paralelaje
- Mejora de costos del sistema
- Amigable con el medio ambiente
- Fácil de diseñar en
Especificaciones técnicas
N Channel
200
0.0099ohm
TO-220
300W
3
3Pines
-
-
Canal N
88
11
Through Hole
10
300
175
-
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (3)
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Certificado de conformidad del producto