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IPP200N25N3GXKSA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 250 V, 64 A, 0.0175 ohm, TO-220, Agujero Pasante
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPP200N25N3GXKSA1
No. Parte Newark47W3479
También conocido comoIPP200N25N3 G, SP000677894
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $3.780 |
| 10+ | $3.780 |
| 25+ | $3.780 |
| 50+ | $3.530 |
| 100+ | $3.490 |
| 250+ | $3.250 |
| 500+ | $3.000 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPP200N25N3GXKSA1
No. Parte Newark47W3479
También conocido comoIPP200N25N3 G, SP000677894
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds250V
Intensidad Drenador Continua Id64A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0175ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.0175ohm
Diseño de TransistorTO-220
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd300W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia300W
Núm. de Contactos3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El IPP200N25N3 G es un producto MOSFET de potencia de canal N basado en la tecnología de referencia líder OptiMOS™. Es perfectamente adecuado para la rectificación síncrona en sistemas de 48 V, convertidores CD a CD, fuentes de alimentación ininterrumpida (UPS) e inversores.
- Qg y Qgd más bajos
- FOM más bajo del mundo, calificación MSL 1
- La más alta eficiencia
- Densidad de potencia más alta
- Menor consumo de espacio en la tarjeta
- Se requieren mínimos dispositivos para paralelaje
- Amigable con el medio ambiente
- Productos fáciles de diseñar
- Ideal para conmutación de alta frecuencia y rectificación síncrona
- Calificado de acuerdo con JEDEC para la aplicación de destino
- Producto verde, libre de halógenos
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
250V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0175ohm
Diseño de Transistor
TO-220
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
Núm. de Contactos
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
64A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0175ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
300W
Disipación de Potencia
300W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
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5 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto