Imprimir página
IPP200N25N3GXKSA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 250 V, 64 A, 0.02 ohm, TO-220, Agujero Pasante
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPP200N25N3GXKSA1
No. Parte Newark47W3479
También conocido comoIPP200N25N3 G, SP000677894
Hoja de datos técnicos
157 En Stock
¿Necesita más?
113 Entrega en 1-3 días hábiles(US stock)
44 Entrega en 2-4 días hábiles(UK stock)
Pedido antes de las 9 p.m.
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $3.780 |
| 10+ | $3.780 |
| 25+ | $3.780 |
| 50+ | $3.530 |
| 100+ | $3.490 |
| 250+ | $3.250 |
| 500+ | $3.000 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$3.78
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPP200N25N3GXKSA1
No. Parte Newark47W3479
También conocido comoIPP200N25N3 G, SP000677894
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds250
Intensidad Drenador Continua Id64
Resistencia de Activación Rds(on)0.0175ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.02ohm
Diseño de TransistorTO-220
Montaje de TransistorThrough Hole
Disipación de Potencia Pd300W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia300
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El IPP200N25N3 G es un producto MOSFET de potencia de canal N basado en la tecnología de referencia líder OptiMOS™. Es perfectamente adecuado para la rectificación síncrona en sistemas de 48 V, convertidores CD a CD, fuentes de alimentación ininterrumpida (UPS) e inversores.
- Qg y Qgd más bajos
- FOM más bajo del mundo, calificación MSL 1
- La más alta eficiencia
- Densidad de potencia más alta
- Menor consumo de espacio en la tarjeta
- Se requieren mínimos dispositivos para paralelaje
- Amigable con el medio ambiente
- Productos fáciles de diseñar
- Ideal para conmutación de alta frecuencia y rectificación síncrona
- Calificado de acuerdo con JEDEC para la aplicación de destino
- Producto verde, libre de halógenos
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
250
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0175ohm
Diseño de Transistor
TO-220
Disipación de Potencia Pd
300W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
64
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.02ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
300
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Productos relacionados
5 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto