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IPT004N03LATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 300 A, 400 µohm, PG-HSOF, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPT004N03LATMA1
No. Parte Newark97Y1840
Rango de ProductoOptiMOS
También conocido comoIPT004N03L, SP001100156
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id300
Resistencia de Activación Rds(on)370µohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente400µohm
Diseño de TransistorPG-HSOF
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd300W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.2
Disipación de Potencia300
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoOptiMOS
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Alternativas para el número de pieza IPT004N03LATMA1
1 producto (s) encontrado (s)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia de Activación Rds(on)
370µohm
Diseño de Transistor
PG-HSOF
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.2
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
OptiMOS
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
300
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
400µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
300W
Disipación de Potencia
300
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
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2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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