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IPT007N06NATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 300 A, 750 µohm, HSOF, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPT007N06NATMA1
No. Parte Newark50Y2078
También conocido comoIPT007N06N, SP001100158
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPT007N06NATMA1
No. Parte Newark50Y2078
También conocido comoIPT007N06N, SP001100158
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id300
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente750µohm
Resistencia de Activación Rds(on)660µohm
Diseño de TransistorHSOF
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd375W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.8
Disipación de Potencia375
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Alternativas para el número de pieza IPT007N06NATMA1
1 producto (s) encontrado (s)
Resumen del producto
IPT007N06NATMA1 is a N-channel power MOSFET optimized for high current applications. This new package is a perfect solution for high power applications where highest efficiency, outstanding EMI behavior as well as best thermal behavior and space reduction are required.
- Industry's lowest R DS(on)
- Highest current capability up to 300A
- Very low package parasitic and inductances
- Less paralleling and cooling required
- Highest system reliability
- Enabling very compact design
- 100% avalanche tested
- Superior thermal resistance
- Qualified according to JEDEC for target applications
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
750µohm
Diseño de Transistor
HSOF
Disipación de Potencia Pd
375W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.8
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
300
Resistencia de Activación Rds(on)
660µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
375
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto