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IPT60R028G7XTMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 600 V, 75 A, 0.028 ohm, HSOF, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPT60R028G7XTMA1
No. Parte Newark57AC6816
Rango de ProductoCoolMOS G7 SJ Series
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $13.770 |
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Múltiple: 5
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPT60R028G7XTMA1
No. Parte Newark57AC6816
Rango de ProductoCoolMOS G7 SJ Series
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600V
Intensidad Drenador Continua Id75A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.028ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.024ohm
Diseño de TransistorHSOF
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia Pd391W
Disipación de Potencia391W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoCoolMOS G7 SJ Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
600V CoolMOS™ G7 power transistor. The C7 GOLD series (G7) for the first time brings together the benefits of the C7 GOLD CoolMOS™ technology, 4 pin Kelvin source capability and the improved thermal properties of the TOLL package to enable a possible SMD solution for high current topologies such as PFC up to 3KW. Suitable for use in PFC stages and PWM stages (TTF, LLC) for high power/performance SMPS e.g. computing, server, telecom, UPS and solar.
- C7 gold gives best in class FOM RDS(on)*Eoss and RDS(on)*Qg
- C7 gold technology enables best in class RDS(on) in smallest footprint
- Improved thermals enable SMD TOLL package to be used in higher current designs
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.028ohm
Diseño de Transistor
HSOF
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
391W
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
CoolMOS G7 SJ Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
75A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.024ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
Disipación de Potencia
391W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza IPT60R028G7XTMA1
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto