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IPW60R024CFD7XKSA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 600 V, 77 A, 0.024 ohm, TO-247, Agujero Pasante
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPW60R024CFD7XKSA1
No. Parte Newark42AH1846
Rango de ProductoCoolMOS CFD7
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPW60R024CFD7XKSA1
No. Parte Newark42AH1846
Rango de ProductoCoolMOS CFD7
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600
Intensidad Drenador Continua Id77
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.024ohm
Diseño de TransistorTO-247
Montaje de TransistorThrough Hole
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia320
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoCoolMOS CFD7
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-247
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
CoolMOS CFD7
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
77
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.024ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
320
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto