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IPW65R095C7XKSA1
MOSFET Transistor, N Channel, 24 A, 650 V, 0.084 ohm, 10 V, 3.5 V RoHS Compliant: Yes
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPW65R095C7XKSA1
No. Parte Newark54X5236
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650V
Intensidad Drenador Continua Id24A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.084ohm
Diseño de TransistorTO-247
Montaje de TransistorThrough Hole
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.5V
Disipación de Potencia128W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-247
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.5V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
24A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.084ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
128W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza IPW65R095C7XKSA1
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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