Imprimir página
IRF100P219AKMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 203 A, 0.0014 ohm, TO-247, Agujero Pasante
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF100P219AKMA1
No. Parte Newark22AJ2197
Rango de ProductoStrongIRFET
Hoja de datos técnicos
678 En Stock
¿Necesita más?
362 Entrega en 1-3 días hábiles(US stock)
316 Entrega en 2-4 días hábiles(UK stock)
Pedido antes de las 9 p.m.
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $4.880 |
| 10+ | $4.650 |
| 25+ | $3.940 |
| 50+ | $3.600 |
| 100+ | $3.240 |
| 250+ | $3.030 |
| 800+ | $2.810 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$4.88
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF100P219AKMA1
No. Parte Newark22AJ2197
Rango de ProductoStrongIRFET
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id203A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0014ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-247
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.8V
Disipación de Potencia341W
Disipación de Potencia Pd0
Núm. de Contactos3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoStrongIRFET
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0014ohm
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
341W
Núm. de Contactos
3Pines
Rango de Producto
StrongIRFET
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
203A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.8V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto