Imprimir página
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
526 En Stock
¿Necesita más?
Entrega en 2-4 días hábiles
¿Necesita más?
Cantidad | Precio en USD |
---|---|
10+ | $1.290 |
100+ | $1.190 |
500+ | $1.070 |
1000+ | $1.010 |
Precio para:Cada
Mínimo: 50
Múltiple: 1
$64.50
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF1407PBF.
No. Parte Newark27AC6861
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds75V
Intensidad Drenador Continua Id130A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0078ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.0078ohm
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd330W
Diseño de TransistorTO-220AB
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia330W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El IRF1407PBF es un MOSFET de potencia de un solo canal H de HEXFET® que utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia de ENCENDIDO extremadamente baja por área de silicio. Las características adicionales de este MOSFET de potencia HEXFET® son una temperatura de operación de la unión de 175°C, una velocidad de conmutación rápida y un índice de avalancha repetitivo mejorado. Estos beneficios se combinan para hacer de este diseño un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.
- Tecnología de proceso avanzada
- Clasificación dv/dt dinámica
- Avalancha repetitiva permitida hasta Tjmax
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
75V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0078ohm
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Disipación de Potencia Pd
330W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
130A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0078ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Diseño de Transistor
TO-220AB
Disipación de Potencia
330W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Productos relacionados
4 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto