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IRF1407PBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 75 V, 130 A, 0.0078 ohm, TO-220AB, Agujero Pasante
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF1407PBF
No. Parte Newark63J7199
También conocido comoSP001564238
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.810 |
| 10+ | $1.990 |
| 100+ | $1.190 |
| 500+ | $1.070 |
| 1000+ | $1.010 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF1407PBF
No. Parte Newark63J7199
También conocido comoSP001564238
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds75V
Intensidad Drenador Continua Id130A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0078ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.0078ohm
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorThrough Hole
Disipación de Potencia Pd330W
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia330W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El IRF1407PBF es un MOSFET de potencia de un solo canal H de HEXFET® que utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia de ENCENDIDO extremadamente baja por área de silicio. Las características adicionales de este MOSFET de potencia HEXFET® son una temperatura de operación de la unión de 175°C, una velocidad de conmutación rápida y un índice de avalancha repetitivo mejorado. Estos beneficios se combinan para hacer de este diseño un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.
- Tecnología de proceso avanzada
- Clasificación dv/dt dinámica
- Avalancha repetitiva permitida hasta Tjmax
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
75V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0078ohm
Diseño de Transistor
TO-220AB
Disipación de Potencia Pd
330W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
130A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0078ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
330W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza IRF1407PBF
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
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