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IRF200P222
MOSFET de Potencia, Canal N, 200 V, 182 A, 0.0053 ohm, TO-247AC, Agujero Pasante
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF200P222
No. Parte Newark93AC7142
Rango de ProductoStrongIRFET
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF200P222
No. Parte Newark93AC7142
Rango de ProductoStrongIRFET
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds200V
Intensidad Drenador Continua Id182A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0053ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.0053ohm
Diseño de TransistorTO-247AC
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia Pd556W
Disipación de Potencia556W
Núm. de Contactos3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoStrongIRFET
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
200V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0053ohm
Diseño de Transistor
TO-247AC
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
556W
Núm. de Contactos
3Pines
Rango de Producto
StrongIRFET
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
182A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0053ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
Disipación de Potencia
556W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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