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IRF2807PBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 75 V, 82 A, 0.013 ohm, TO-220AB, Agujero Pasante
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF2807PBF
No. Parte Newark63J7221
También conocido comoSP001550978
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.370 |
| 10+ | $2.290 |
| 100+ | $1.460 |
| 500+ | $1.140 |
| 1000+ | $1.120 |
| 3000+ | $1.060 |
| 5000+ | $0.986 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF2807PBF
No. Parte Newark63J7221
También conocido comoSP001550978
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds75V
Intensidad Drenador Continua Id71A
Resistencia de Activación Rds(on)0.013ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.013ohm
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd200W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia150W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El IRF2807PBF es un MOSFET de potencia de un solo canal H de HEXFET® que utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia de ENCENDIDO extremadamente baja por área de silicio. Este beneficio, combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo, proporciona una operación extremadamente eficiente y confiable. El paquete es universalmente preferido para todas las aplicaciones comerciales-industriales a niveles de disipación de potencia de aproximadamente 50W.
- Tecnología de proceso avanzada
- Clasificación dv/dt dinámica
- Calificación de avalancha completa
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
75V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.013ohm
Diseño de Transistor
TO-220AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
71A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.013ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
200W
Disipación de Potencia
150W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza IRF2807PBF
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificado de conformidad del producto
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