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IRF3415PBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 150 V, 43 A, 42 mohm, TO-220AB, Agujero Pasante
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF3415PBF
No. Parte Newark63J7246
También conocido comoSP001564438
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.190 |
| 10+ | $1.550 |
| 100+ | $1.220 |
| 500+ | $1.040 |
| 1000+ | $0.943 |
| 3000+ | $0.915 |
| 5000+ | $0.884 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF3415PBF
No. Parte Newark63J7246
También conocido comoSP001564438
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds150
Intensidad Drenador Continua Id43
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente42
Resistencia de Activación Rds(on)0.042ohm
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd200W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia200
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El IRF3415PBF es un MOSFET de potencia de un solo canal N de quinta generación HEXFET® que utiliza técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia de ENCENDIDO extremadamente baja por área de silicio. Este beneficio, combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo, proporciona una operación extremadamente eficiente y confiable. El paquete es universalmente preferido para todas las aplicaciones comerciales-industriales a niveles de disipación de potencia de aproximadamente 50W.
- Tecnología de proceso avanzada
- Clasificación dv/dt dinámica
- Calificación de avalancha completa
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
150
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
42
Diseño de Transistor
TO-220AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
43
Resistencia de Activación Rds(on)
0.042ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
200W
Disipación de Potencia
200
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
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4 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto