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IRF5305PBF
P CHANNEL MOSFET, -55V, 31A, TO-220AB
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF5305PBF
No. Parte Newark63J7317
Rango de ProductoHEXFET Series
También conocido comoSP001564354
Hoja de datos técnicos
744 En Stock
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| 4000+ | $0.528 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF5305PBF
No. Parte Newark63J7317
Rango de ProductoHEXFET Series
También conocido comoSP001564354
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds55
Intensidad Drenador Continua Id31
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.06
Resistencia de Activación Rds(on)0.06ohm
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd110W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia110
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoHEXFET Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El IRF5305PBF es un MOSFET de potencia HEXFET de un solo canal P de -55V en paquete TO-220AB.. Este MOSFET tiene una resistencia extremadamente baja por área de silicio, clasificación dv/dt dinámica, conmutación rápida y resistente y, como resultado, una calificación de avalancha total, los MOSFET de potencia son muy conocidos por proporcionar una gran eficiencia y fiabilidad que se pueden utilizar en una gran variedad de aplicaciones.
- Voltaje drenaje-fuente Vds de -55V
- Voltaje de compuerta a fuente de ± 20V
- Resistencia en estado de encendido Rds(on) de 60mohm con Vgs de -10V
- Disipación de potencia Pd de 110W a 25 °C
- Corriente continua de drenaje Id de -31A en Vgs -10V y 25 ° C
- Rango de temperatura de unión de -55°C a 175°C
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
55
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.06
Diseño de Transistor
TO-220AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
HEXFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
31
Resistencia de Activación Rds(on)
0.06ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
110W
Disipación de Potencia
110
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (3)
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7 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto