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IRF530NPBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 17 A, 0.09 ohm, TO-220AB, Agujero Pasante
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF530NPBF
No. Parte Newark63J7312
También conocido comoSP001570120
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.350 |
| 10+ | $0.892 |
| 100+ | $0.793 |
| 500+ | $0.659 |
| 1000+ | $0.593 |
| 4000+ | $0.560 |
| 10000+ | $0.537 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF530NPBF
No. Parte Newark63J7312
También conocido comoSP001570120
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id17A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.09ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.09ohm
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd79W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia63W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El IRF530NPBF es un MOSFET de potencia HEXFET de un solo canal N de 100 V en TO-220AB. Este MOSFET tiene una resistencia extremadamente baja por área de silicio, clasificación dv/dt dinámica, conmutación rápida y resistente y, como resultado, una calificación de avalancha total, los MOSFET de potencia son muy conocidos por proporcionar una gran eficiencia y fiabilidad que se pueden utilizar en una gran variedad de aplicaciones.
- Voltaje drenaje-fuente Vds de 100V
- Voltaje de compuerta a fuente de ± 20V
- Resistencia en estado de encendido Rds(on) de 90mohm con Vgs de 10V
- Disipación de potencia Pd de 70W a 25 °C
- Corriente continua de drenaje Id de 17A en Vgs 10V y 25 ° C
- La temperatura de funcionamiento de unión es desde -55°C hasta 175°C
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.09ohm
Diseño de Transistor
TO-220AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
17A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.09ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
79W
Disipación de Potencia
63W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza IRF530NPBF
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto