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IRF6617TRPBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 55 A, 0.0081 ohm, DirectFET ST, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF6617TRPBF
No. Parte Newark91Y4736
Rango de ProductoHEXFET Series
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF6617TRPBF
No. Parte Newark91Y4736
Rango de ProductoHEXFET Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id55
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente8100µohm
Diseño de TransistorDirectFET ST
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.35
Disipación de Potencia42
No. de Pines7Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoHEXFET Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
55
Diseño de Transistor
DirectFET ST
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
42
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
8100µohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.35
No. de Pines
7Pines
Rango de Producto
HEXFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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