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| 25+ | $1.950 |
| 50+ | $1.850 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF6644TRPBF
No. Parte Newark91Y4742
Rango de ProductoHEXFET
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id60
Resistencia de Activación Rds(on)0.0103ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.013ohm
Diseño de TransistorDirectFET MN
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.8
Disipación de Potencia Pd89W
Disipación de Potencia89
No. de Pines7Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoHEXFET
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0103ohm
Diseño de Transistor
DirectFET MN
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
89W
No. de Pines
7Pines
Rango de Producto
HEXFET
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.013ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.8
Disipación de Potencia
89
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza IRF6644TRPBF
1 producto (s) encontrado (s)
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5 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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