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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF6775MTRPBF
No. Parte Newark13AC9186
Rango de ProductoHEXFET Series
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF6775MTRPBF
No. Parte Newark13AC9186
Rango de ProductoHEXFET Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds150
Intensidad Drenador Continua Id28
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.056ohm
Diseño de TransistorDirectFET MZ
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5
Disipación de Potencia89
No. de Pines7Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoHEXFET Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
150
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
DirectFET MZ
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5
No. de Pines
7Pines
Rango de Producto
HEXFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
28
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.056ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
89
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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