Imprimir página
IRF7329TRPBF
MOSFET, DUAL P CH, -12V, -9.2A, SOIC-8
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF7329TRPBF
No. Parte Newark13AC9190
Rango de ProductoHEXFET Series
Hoja de datos técnicos
3,989 En Stock
¿Necesita más?
Entrega en 2-4 días hábiles(UK stock)
Haga el pedido antes de las 9 p.m. EST para un envío normal
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.490 |
| 10+ | $0.964 |
| 25+ | $0.875 |
| 50+ | $0.787 |
| 100+ | $0.697 |
| 250+ | $0.660 |
| 500+ | $0.545 |
| 1000+ | $0.506 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$1.49
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF7329TRPBF
No. Parte Newark13AC9190
Rango de ProductoHEXFET Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N12V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P12V
Intensidad Drenador Continua Id0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N9.2A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P9.2A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.017ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.017ohm
Diseño de TransistorSOIC
Núm. de Contactos8Pines
Disipación de Potencia de Canal N2W
Disipación de Potencia de Canal P2W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoHEXFET Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
12V
Intensidad Drenador Continua Id
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
9.2A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.017ohm
Núm. de Contactos
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
2W
Rango de Producto
HEXFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
12V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
9.2A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.017ohm
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
2W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Productos relacionados
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto