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IRF7769L1TRPBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 375 A, 0.0035 ohm, DirectFET L8, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF7769L1TRPBF
No. Parte Newark13AC9205
Rango de ProductoHEXFET
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id375
Resistencia de Activación Rds(on)0.0028ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0035ohm
Diseño de TransistorDirectFET L8
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.7
Disipación de Potencia125
Disipación de Potencia Pd125W
No. de Pines15Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoHEXFET
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Alternativas para el número de pieza IRF7769L1TRPBF
1 producto (s) encontrado (s)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0028ohm
Diseño de Transistor
DirectFET L8
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
125
No. de Pines
15Pines
Rango de Producto
HEXFET
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
375
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0035ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.7
Disipación de Potencia Pd
125W
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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