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IRF7832TRPBF.
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 20 A, 0.0031 ohm, SOIC, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF7832TRPBF.
No. Parte Newark26AC0649
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id20
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0031
Resistencia de Activación Rds(on)0.0031ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd2.5W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Diseño de TransistorSOIC
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.32
Disipación de Potencia2.5
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.155
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0031
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.32
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
20
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0031ohm
Disipación de Potencia Pd
2.5W
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia
2.5
Temperatura de Trabajo Máx.
155
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
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EU ECCN:Unknown
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