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IRF8313TRPBF
MOSFET Dual, Doble Canal N, 30 V, 30 V, 9.7 A, 0.0155 ohm
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF8313TRPBF
No. Parte Newark42Y0424
Rango de ProductoHEXFET Series
Hoja de datos técnicos
72 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.220 |
| 10+ | $0.985 |
| 25+ | $0.898 |
| 50+ | $0.812 |
| 100+ | $0.725 |
| 250+ | $0.671 |
| 500+ | $0.615 |
| 1000+ | $0.566 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF8313TRPBF
No. Parte Newark42Y0424
Rango de ProductoHEXFET Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalDoble Canal N
Intensidad Drenador Continua Id0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P30
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N9.7
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.0155
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorSOIC
Núm. de Contactos8Pines
Disipación de Potencia de Canal N2
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoHEXFET Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Resumen del producto
The IRF8313TRPBF is a dual N-channel Power MOSFET incorporates the latest HEXFET power silicon technology into the industry standard package. It has been optimized for parameters that are critical in synchronous buck operation including RDS (ON) and gate charge to reduce both conduction and switching losses. The reduced total losses make this product ideal for high efficiency DC-to-DC converters that power the latest generation of processors for notebook and Netcom applications.
- Low gate charge and low RDS (ON)
- Fully characterized avalanche voltage and current
- Halogen-free
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Doble Canal N
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
30
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
Núm. de Contactos
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Rango de Producto
HEXFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
0
Intensidad Drenador Continua Id
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
9.7
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.0155
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
2
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto