Imprimir página
IRF9389TRPBF
MOSFET Doble, Canal N y P Complementario, 30 V, 6.8 A, 0.022 ohm, SOIC, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF9389TRPBF
No. Parte Newark91Y4762
Rango de ProductoHEXFET Series
Hoja de datos técnicos
479 En Stock
¿Necesita más?
Envío el mismo día
Haga el pedido antes de las 9 p.m., hora estándar del este, para un envío normal
Disponible en la cantidad indicada
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.613 |
| 10+ | $0.429 |
| 25+ | $0.403 |
| 50+ | $0.376 |
| 100+ | $0.351 |
| 250+ | $0.348 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$0.61
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF9389TRPBF
No. Parte Newark91Y4762
Rango de ProductoHEXFET Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalComplementary N and P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P30V
Intensidad Drenador Continua Id6.8A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N6.8A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P6.8A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.022ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.022ohm
Diseño de TransistorSOIC
Núm. de Contactos8Pines
Disipación de Potencia de Canal N2W
Disipación de Potencia de Canal P2W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoHEXFET Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Alternativas para el número de pieza IRF9389TRPBF
1 producto (s) encontrado (s)
Resumen del producto
MOSFET de potencia HEXFET® adecuado para su uso en interruptores de lado alto y bajo para inversor, interruptores de lado alto y bajo para medio puente genérico.
- MOSFET de canal P de lado alto
- Esquema estándar de la industria
- Compatible con la técnica de montaje en superficie existente
- Aumento de la densidad de potencia
- Circuitos de transmisión más fáciles
- Compatibilidad con múltiples proveedores
- Fabricación más sencilla
- Más amigable con el medio ambiente
- Mayor fiabilidad
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Complementary N and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30V
Intensidad Drenador Continua Id
6.8A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
6.8A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.022ohm
Núm. de Contactos
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
2W
Rango de Producto
HEXFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
6.8A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.022ohm
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
2W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Productos relacionados
3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto