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IRF9530NPBF
MOSFET de Potencia, Canal P, 100 V, 14 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Agujero Pasante
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF9530NPBF
No. Parte Newark63J7429
También conocido comoSP001570634
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.100 |
| 10+ | $1.010 |
| 100+ | $0.605 |
| 500+ | $0.496 |
| 1000+ | $0.442 |
| 4000+ | $0.411 |
| 10000+ | $0.387 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF9530NPBF
No. Parte Newark63J7429
También conocido comoSP001570634
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id13A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.2ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.2ohm
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorThrough Hole
Disipación de Potencia Pd79W
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia79W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El IRF9530NPBF es un MOSFET de potencia HEXFET de un solo canal P de -100V en paquete TO-220AB.. Este MOSFET tiene una resistencia extremadamente baja por área de silicio, clasificación dv/dt dinámica, conmutación rápida y resistente y, como resultado, una calificación de avalancha total, los MOSFET de potencia son muy conocidos por proporcionar una gran eficiencia y fiabilidad que se pueden utilizar en una gran variedad de aplicaciones.
- Voltaje drenaje-fuente Vds de -100V
- Voltaje de compuerta a fuente de ± 20V
- Resistencia en estado de encendido Rds(on) de 200mohm
- Disipación de potencia Pd de 79W a 25 °C
- Corriente continua de drenaje Id de -14A en Vgs -10V y 25 ° C
- La temperatura de funcionamiento de unión es desde -55°C hasta 175°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.2ohm
Diseño de Transistor
TO-220AB
Disipación de Potencia Pd
79W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
13A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.2ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
79W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (3)
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7 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto