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IRF9540NSTRLPBF
MOSFET de Potencia, Canal P, 100 V, 23 A, 0.117 ohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF9540NSTRLPBF
No. Parte Newark25M9854
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id23A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.117ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.117ohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)20V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia140W
Disipación de Potencia Pd140W
Núm. de Contactos3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.117ohm
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
20V
Disipación de Potencia
140W
Núm. de Contactos
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
23A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.117ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
Disipación de Potencia Pd
140W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Alternativas para el número de pieza IRF9540NSTRLPBF
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
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