IRF9Z34NPBF.
MOSFET de Potencia, Canal P, 55 V, 19 A, 0.1 ohm, TO-220AB, Agujero Pasante
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 10+ | $0.976 |
| 100+ | $0.573 |
| 500+ | $0.512 |
| 1000+ | $0.497 |
| 4000+ | $0.475 |
| 10000+ | $0.469 |
Información del producto
Resumen del producto
El IRF9Z34NPBF es un MOSFET de potencia HEXFET® de un solo canal P de -55 V, el HEXFET de quinta generación utiliza técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia extremadamente baja por área de silicio. Este beneficio, combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivo resistente por el que HEXFET power MOSFET es bien conocido, proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones. El paquete es universalmente preferido para todas las aplicaciones comerciales-industriales a niveles de disipación de potencia de aproximadamente 50W.
- Tecnología de proceso avanzada
- Clasificación dv/dt dinámica
- Clasificado avalancha completa
- Temperatura de funcionamiento de 175°C
Especificaciones técnicas
Canal P
55V
0.1ohm
Agujero Pasante
10V
4V
3Pines
-
-
Canal P
19A
0.1ohm
56W
TO-220AB
56W
175°C
-
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (3)
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Certificado de conformidad del producto