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IRFB3006PBF
MOSFET, N-CH, 60V, 270A, 175DEG C, 375W
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $3.150 |
| 10+ | $3.020 |
| 25+ | $2.350 |
| 50+ | $2.260 |
| 100+ | $2.170 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFB3006PBF
No. Parte Newark45P3440
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id270
Resistencia de Activación Rds(on)0.0021ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente2500µohm
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)20
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia375
Disipación de Potencia Pd375W
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0021ohm
Diseño de Transistor
TO-220AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
20
Disipación de Potencia
375
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
270
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
2500µohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
Disipación de Potencia Pd
375W
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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