Imprimir página
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFB3207PBF
No. Parte Newark31K1926
También conocido comoSP001572410
Hoja de datos técnicos
282 En Stock
¿Necesita más?
Entrega en 2-4 días hábiles(UK stock)
Haga el pedido antes de las 9 p.m. EST para un envío normal
Cantidad | Precio en USD |
---|---|
1+ | $2.940 |
10+ | $2.230 |
25+ | $2.080 |
50+ | $1.940 |
100+ | $1.790 |
250+ | $1.630 |
500+ | $1.550 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$2.94
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFB3207PBF
No. Parte Newark31K1926
También conocido comoSP001572410
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds75
Intensidad Drenador Continua Id180
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0045ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.0036ohm
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorThrough Hole
Disipación de Potencia Pd300W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia300
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El IRFB3207PBF es un MOSFET de potencia de un solo canal H de HEXFET® que ofrece resistencia mejorada de puerta, avalancha y dV/dt dinámico. Es adecuado para la rectificación síncrona de alta eficiencia en SMPS, circuitos duros y circuitos de alta frecuencia.
- SOA de avalancha y capacitancia totalmente caracterizada
- Capacidad dV/dt y di/dt de cuerpo de diodo mejoradas
- Conmutación rápida
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
75
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0045ohm
Diseño de Transistor
TO-220AB
Disipación de Potencia Pd
300W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
180
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0036ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
300
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza IRFB3207PBF
1 producto (s) encontrado (s)
Productos relacionados
5 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto