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IRFB3307ZPBF
MOSFET, N-CH, 75V, 120A, TO-220AB
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFB3307ZPBF
No. Parte Newark61M6829
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds75
Intensidad Drenador Continua Id120
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente5800µohm
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia230
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
75
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-220AB
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
120
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
5800µohm
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
230
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza IRFB3307ZPBF
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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