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IRFB4019PBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 150 V, 17 A, 0.095 ohm, TO-220AB, Agujero Pasante
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFB4019PBF
No. Parte Newark32AC7461
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds150
Intensidad Drenador Continua Id17
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.095
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.9
Disipación de Potencia80
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
150
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-220AB
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.9
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
17
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.095
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
80
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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