IRFB4229PBF
MOSFET de Potencia, HEXFET®, Canal N, 250 V, 46 A, 0.046 ohm, TO-220AB, Agujero Pasante
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.640 |
| 10+ | $1.640 |
| 100+ | $1.640 |
| 500+ | $1.640 |
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| 3000+ | $1.640 |
Información del producto
Resumen del producto
El IRFB4229PBF es un MOSFET de potencia de canal N único HEXFET® diseñado para aplicaciones de conmutación de paso, recuperación de energía y mantenimiento en paneles de pantalla de plasma. Utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una baja resistencia de encendido por área de silicio y una clasificación EPULSE baja. Las características adicionales de este MOSFET son una temperatura de unión operativa de 175 °C y una alta capacidad de corriente máxima repetitiva. Estas características se combinan para hacer de este MOSFET un dispositivo altamente eficiente, robusto y confiable para aplicaciones de control de PDP.
- Tecnología de proceso avanzada
- Qg bajo para una respuesta rápida
- Gran capacidad de corriente pico repetitiva para un funcionamiento confiable
- Breve caída y tiempos de subida para la conmutación rápida
- Capacidad para soportar avalanchas repetitivas para mayor confiabilidad y robustez
Especificaciones técnicas
Canal N
250
0.038ohm
TO-220AB
330W
5
3Pines
-
-
N Channel
46
0.046ohm
Through Hole
10
330
175
-
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (3)
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Certificado de conformidad del producto